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华讯财经:芯片突破国外垄断概念股蓄势待发

http://stock.591hx.com 2016年04月18日 08:55:16 华讯财经

  国家能源局研究制订了《2016年能源工作指导意见》,意见中指出各类充电设施总投资300亿元。由于技术原因充电桩核部件MOSFET是开关电源模块中最核心的部分,成本占整个开关电源模块成本的20%左右,过去,这一领域被国外厂商垄断。现在东微半导体经过两年的研发,原创了全套专利技术,目前已实现充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产,在国内批量应用,降低依赖国外技术,提高利润相关概念股蓄势待发或再次上涨。

  国家能源局研究制订了《2016年能源工作指导意见》,提出2016年发布实施能源发展“十三五”规划,鼓励发展新型消费业态,计划建设充电站2000多座、分散式公共充电桩10万个,私人专用充电桩86万个,各类充电设施总投资300亿元。其中,国家电网浙江省电力公司近日承诺2016年将在浙江建成电动汽车快充站331座。根据浙江省的规划,到2020年,新能源汽车产量累计达50万辆以上,推广应用累计达23万辆以上,充换电站800座以上,充电桩超过21万个。上海市日前也提出,到2020年,全市充电桩运营服务规模超过21万个,基本满足26万量新能源汽车的充电服务需求。

  这些充电桩,已经基本遍布高速公路、停车场,多数以固定安装在电动汽车外、与交流电网连接,直接为电动汽车的动力电池充电。由于直流充电桩采用三相四线制供电,可以提供足够的功率,输出的电压和电流调整范围大,可以实现快速充电的要求,俗称“快充”。直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中,MOSFET是开关电源模块中最核心的部分,是实现电能高效率转换,确保充电桩稳定不过热的关键器件。

  交流电进入电桩后,MOSFET通过控制芯片来控制电流通断,形成脉冲电流,再通过电感耦合转换为新能源汽车需要的直流电源。MOSFET的成本占整个开关电源模块成本的20%左右。在一个开关电源模块中,需要用到几个甚至近百个MOSFET。过去,这一领域被国外厂商垄断,国内厂家大量采购进口品牌的MOSFET,不仅价格高昂,还经常缺货。

  东微半导体经过两年的研发,原创了全套专利技术,目前已实现充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产,在国内充电桩企业批量应用。同时,该产品还出口到韩国、日本和德国市场。同时,还广泛应用在手机充电器、LED照明,显示器、工业照明等电源转换领域。

  业内人士表示,2015年我国桩车比仅为1:10,充电桩成为制约新能源汽车发展的短板。国家规划2016年各类充电设施总投资300亿元,同比增速超500%,按照国家“桩站先行,适度超前”的规划,预计17年投资额约480亿,同比增速50%。

  分析认为,2016年充电桩投资增速500%,设备企业投资价值凸显;同时随着新能源公交车的渗透,因其充电需求刚性,量大且稳定,对应公交的充电桩运营盈利能力较强。

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